订购电话:0755-83217923 和我即时交谈
元器件采购网 > S-444页 > FET - 阵列SI7958DP-T1-E3

相关型号

型号 封装 厂家 数量 咨询价格 在线订购

SI7958DP-T1-E3

PowerPAK? SO-8 Vishay Siliconix 66168 电话:0755-83217923
询价QQ:和我即时交谈
SI7958DP-T1-E3参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
PDF资料下载:点击下载PDF文档

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:16.5 毫欧 @ 11.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:75nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:1.4W
安装类型:表面贴装

热门型号:

嵌入式 - 微控制STM8AF6226TCSSSY 同轴,RFFA1-NFSJ-C01-6 拨动开关A126P31YZQ 固定式HM17A-106330LF DC DC ConDFA20E48D15 热敏电阻 - PTB59835T1120A62 固态硬盘驱动器MTFDDAK128MAM-1J12 接线座 - Din1923047 圆形MS3102E36-10S 存储器AT24C04BY6-YH-T